1. 光刻精度高：多采用i线或LED紫外光源，搭配蝇眼透镜等光学技术保障照明均匀性，真空接触模式下分辨率可达0.8μm，正面套刻精度常≤±0.5μm，二次光刻时能精准完成图形叠加。且通过压力传感器和自动调平机构，可减少晶圆与掩膜接触时的漂移，保障二次加工精度。

2. 自动化程度高：能自动完成对准位与曝光位切换，搭配机械手真空吸着输片，实现晶圆自动搬送、预对准、调焦等流程。部分机型支持SECS/GEM协议和多配方存储，可适配二次光刻的批量生产需求，提升加工效率。

3. 接触模式灵活：普遍支持硬接触、软接触及真空接触等多种模式，可根据二次光刻的胶厚、晶圆材质调整接触压力，既能满足高精度图形转移，也能避免晶圆或掩膜损坏。

4. 适配范围广：兼容2 - 12英寸不同尺寸晶圆，还能处理不规则碎片和砷化钾等易碎基片。适配硅、玻璃、蓝宝石等多种材料，常用于MEMS、化合物半导体及晶圆级封装等场景的二次单面光刻需求。

5. 防护与稳定性强：部分机型内置洁净腔室，精准控制温湿度以减少污染和热变形；同时配备碎片处理功能，可解决二次光刻中不规则基片导致的版片分离难题，保障设备稳定运行。