高精度对准：采用激光干涉仪与标记识别技术，能实现高精度对准。如SUSS MA200Gen3的层间对准精度可达±0.5μm，场内对准精度为±0.7μm 。部分光刻机还具备双面对准功能，像EVG 620 NT的正面对准精度≤±0.5μm，背面对准精度≤±1μm 。

- 高分辨率曝光 ：通过真空接触、硬接触、软接触等不同曝光模式，可实现较高的分辨率。例如SUSS MA200Gen3在真空接触模式下分辨率达0.5μm，SUSS MA8Gen4在真空接触下分辨率为0.8μm，软接触模式下分辨率≤2.5μm。

- 多种曝光模式 ：具备硬接触、软接触和接近式等曝光模式，可根据不同的工艺需求进行选择。如上海螣芯的HISI-6光刻机就支持这些曝光模式，且曝光模式可选择一次曝光或套刻曝光。

- 自动化程度高 ：集成自动上下料与多配方存储功能，能够提高生产效率和工艺稳定性。- 晶圆尺寸兼容性好 ：可兼容多种尺寸的晶圆，支持2-6英寸晶圆及10mm×10mm碎片，支持150毫米（6英寸）的晶圆尺寸。

- 环境控制严格 ：内置洁净腔室，能有效控制温度和湿度，减少颗粒污染与热变形影响。如EVG-6200NT内置Class 100洁净腔室，温度控制在±0.1°C，湿度控制在±2%。

- 光源类型多样 ：常见的有汞灯和UV-LED光源，例如汞灯365nm紫外光源，例如LED光源（波长350-450nm），可根据不同的工艺要求和材料特性进行选择。