1. 半导体芯片封装(凸点/BGA底部填充)
- 绝缘胶性能:介电强度≥15kV/mm,耐温范围-40~150℃,低模量(避免应力损伤凸点);
- 涂胶参数:涂胶宽度0.2~1mm,厚度50~200μm,无溢胶、气泡。
2. 晶圆级封装(WLP边缘绝缘)
- 绝缘胶性能:介电常数≤3.5(低损耗),耐回流焊温度≥260℃,与晶圆表面粘附力≥15N/cm;
- 涂胶参数:边缘涂覆宽度0.5~2mm,厚度均匀性±5%,无针孔。
3. 功率器件(IGBT/MOSFET周边绝缘)
- 绝缘胶性能:耐温≥200℃,击穿电压≥20kV/mm,抗湿热老化(85℃/85%RH,1000h无失效);
- 涂胶参数:涂胶厚度100~500μm,覆盖芯片边缘及引脚根部,无开裂。
4. MEMS器件(微结构侧壁绝缘)
- 绝缘胶性能:低粘度(易流平微结构),介电强度≥12kV/mm,固化后收缩率≤1%;
- 涂胶参数:侧壁涂覆厚度20~100μm,不堵塞微通道/孔洞。
5. 先进封装(Chiplet互连区域边缘绝缘)
- 绝缘胶性能:介电常数≤3.0,耐温125~180℃,与铜/硅介质兼容性好(无腐蚀);
- 涂胶参数:涂胶宽度0.1~0.8mm,厚度30~150μm,适配高密度互连布局。
1. 超精密涂覆:胶量控制达纳升级,涂覆宽度精度±0.05mm,适配半导体微小器件边缘,无溢胶、断胶问题。
2.洁净级适配:符合Class 1000/10000洁净标准,机身防粉尘设计,胶水路径无二次污染,契合半导体洁净车间要求。
3. 兼容性强:支持光刻胶、硅胶等半导体专用绝缘胶,可匹配晶圆、芯片框架等不同尺寸/形状的半导体工件。
4.高一致性+自动化:搭载视觉定位与伺服驱动,重复定位精度≤±0.02mm,联动产线实现上料-涂胶-下料全自动化,减少人工干预。
5. 温控/防凝露设计:机身带恒温模块(±1℃),避免胶水粘度波动,适配半导体生产的严苛温湿度环境。
| 序号 | 参数 | 技术说明 |
| 1 | 适用晶片尺寸 | 30-80 mm |
| 2 | 晶片厚度 | 0.3-2mm |
| 3 | 取片方式 | 相机引导取片 |
| 4 | 匀胶台 | 吸真空实现, 转速可调 (0-3000r/min) |
| 5 | 设备UPH | ≥160pcs/H |
| 6 | 料盘数量 | ≥3盘 |
| 6 | 涂胶 | 涂胶头配合高精度模组。 |
| 7 | 定位方式 | 相机识别抓取 |
| 8 | 设备控制方式 | 上位机控制软件+PLC控制 |
| 9 | 设备尺寸 | 1200*1200*1950 (长宽高) |