中国光刻机技术突破：打破垄断，开启自主新纪元

在2024年9月，中国成功打破西方技术垄断，自主研发的氟化氩光刻机正式亮相，标志着国产芯片制造迈出关键一步。该设备不仅支持28纳米及以上制程的大规模生产，还具备7纳米制程节点的潜力，为国内半导体产业注入强心剂。 光刻机作为芯片制造的“皇冠明珠”，其技术突破意味着中国不再受制于外部封锁，从长期依赖进口转向自主创新。 这一成就的背后，是无数科研人员数十年如一日的攻坚，他们面对技术壁垒和外部压力，以“愚公移山”的精神推动技术从无到有的跨越。 目前，浙江绍兴越城区已启动总投资50亿元的国产光刻机生产基地，预计年产能达100台，将大幅提升国内半导体设备的供应能力。 这一突破不仅回应了外界质疑，更彰显了中国在高科技领域的决心，为全球芯片产业链的多元化发展提供了新选择。